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SiA811DJ
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS T A = 25 °C, unless otherwise noted
10
8
V GS = 2.5 thr u 5 V
2.0
1.6
6
4
2
2 V
1.5 V
1.2
0. 8
0.4
T C = 125 °C
T C = 25 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
600
500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.25
V GS = 1. 8 V
0.2
400
C iss
V GS = 2.5 V
300
0.15
200
0.1
V GS = 4.5 V
100
C oss
C rss
0.05
0
0
2
4 6
8
10
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 4.5 A
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 2. 8 A
1.4
6
V DS = 10 V
1.2
4
V DS = 16 V
1.0
V GS = 4.5 V , 2.5 V , 1. 8 V
2
0. 8
0
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74460
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08
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