收藏本站
New Product
SiA811DJ
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS T A = 25 °C, unless otherwise noted
10
8
V GS = 2.5 thr u 5 V
2.0
1.6
6
4
2
2 V
1.5 V
1.2
0. 8
0.4
T C = 125 °C
T C = 25 °C
0
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
600
500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.25
V GS = 1. 8 V
0.2
400
C iss
V GS = 2.5 V
300
0.15
200
0.1
V GS = 4.5 V
100
C oss
C rss
0.05
0
0
2
4 6
8
10
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 4.5 A
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 2. 8 A
1.4
6
V DS = 10 V
1.2
4
V DS = 16 V
1.0
V GS = 4.5 V , 2.5 V , 1. 8 V
2
0. 8
0
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74460
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIA814DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
SIA911EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
SIA914DJ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6
SIA917DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
SIB406EDK-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6
SIB408DK-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L
SIB412DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
SIB413DK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
相关代理商/技术参数
SIA813DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA814DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode
SIA814DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SiA817EDJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA850DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 190V 0.95A 7.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI-A8W031180EU 制造商:Samsung 功能描述:Bulk
SI-A8W032180EU 制造商:Samsung 功能描述:Bulk
SI-A8W041140EU 制造商:Samsung 功能描述:Bulk